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離子束IBE刻蝕技術
周 期:5個工作日
價 格:400/h
利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子,氬離子經過陽極電場的加速對樣品表面進行物理轟擊,以達到刻蝕的作用。
服務描述

1.離子束刻蝕(IBE)技術的原理?

   利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子,氬離子經過陽極電場的加速對樣品表面進行物理轟擊,以達到刻蝕的作用??涛g過程即把Ar氣充入離子源放電室并使其電離形成等離子體,然后由柵極將離子呈束狀引出并加速,具有一定能量的離子束進入工作室,射向固體表面轟擊固體表面原子,使材料原子發生濺射,達到刻蝕目的,屬純物理刻蝕。


2.離子束刻蝕(IBE)適合的材料體系?

   可用于刻蝕加工各種金屬(Ni、Cu、Au、Al、Pb、Pt、Ti等)及其合金,以及非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導體、聚合物、陶瓷、紅外和超導等材料。

   目前離子束刻蝕在非硅材料方面優勢明顯,在聲表面波、薄膜壓力傳感器、紅外傳感器等方面具有廣泛的用途。


3. 離子束刻蝕(IBE)技術的優點和缺點?

a 優點:

 (1)方向性好、無鉆蝕、陡直度高;

 (2)刻蝕速率可控性好,圖形分辨率高,CD可小于0.1um;

 (3)屬于物理刻蝕,可以突破刻蝕材料的限制;

 (4)刻蝕過程中可改變離子束入射角來控制圖形輪廓,加工特殊的結構;

b 缺點:

 (1)刻蝕速率慢、效率比ICP更低;

 (2)難以完成晶片的深刻蝕;

 (3)屬于物理刻蝕,常常會有過刻的現象。


4.反應離子刻蝕(RIBE)技術簡介及優點?

   反應離子束刻蝕(RIBE)是在離子束刻蝕的基礎上,增加了腐蝕性氣體,因此它不但保留了離子束物理刻蝕能力,還增加了腐蝕性氣體(氟基氣體、O2)離化后對樣品的化學反應能力(反應離子束刻蝕:RIBE),也支持腐蝕性氣體非離化態的化學輔助刻蝕能力(化學輔助離子束刻蝕:CAIBE),對適用于化學輔助的材料可以大幅度提升刻蝕速率,提高刻蝕質量。


5.離子束刻蝕(IBE)設備目前由哪些廠家?

   主要有愛德萬斯、創世威納、金盛微納、中電48所、美國Nanomaster、美國Vecco、英國牛津Oxford等。目前國內主要的IBE刻蝕設備都來自于國內,愛德萬斯技術來源于航天,具有30多年的積累,目前為行業主流供應商。


6.離子束刻蝕(IBE)設備的簡介及主要的性能指標?

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刻蝕氣體:Ar

Ar+離子能量范圍:0-1000eV

極限真空:< 8.5*10-5Pa

Ar+離子束有效束徑:>100 mm

基片尺寸:≤6英寸,向下兼容任意規格樣品

刻蝕均勻性:4英寸均勻性優于±5% ,6英寸均勻性優于±7%

刻蝕速率:通常10nm~50nm/min(與刻蝕材料和工藝有關)

傾斜角度:0~90°

 

6. 離子束刻蝕(IBE)的案例展示  

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7. 離子束刻蝕(IBE)相關業務介紹?


(1)客戶須知:

  需要告知基片名稱、尺寸和刻蝕數量,待刻蝕材料種類膜層結構,有無掩模、掩模材料和厚度,襯底材料。


(2)收費情況:

  按照時間:每次刻蝕4小時以內按照1500/次,超過4h之后每小時加收400;

  按照片數:適用于小批量的超過10片以上,4寸的按照800/片,10片起,每片刻蝕時間不超過4h。 6寸的按照1000/片,10片起,每片刻蝕不超過4h;

  定 制 化: 根據具體的需求進行評估,單獨報價。


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